西数开发低延迟闪存 欲与英特尔傲腾产品竞争[CSIA]
 
 
西数开发低延迟闪存 欲与英特尔傲腾产品竞争
更新时间:2019-3-14 16:21:37  
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外媒报道称,存储大厂西部数据(WD)正在开发自家的低延迟闪存,与传统3DNAND相比,其能够带来更高的性能和耐用性,旨在与英特尔傲腾产品展开竞争。在本周的StorageFieldDay上,西数透露该技术介于3DNAND与DRAM之间,类似于英特尔傲腾和三星Z-NAND。其访问延迟在微妙级,使用1-bit或2-bit的存储单元。
  
  作为一款性能向的定制设备,LLF存储的成本是DRAM的1/10。但是按照当下的每GB价格计算,其成本是3DNAND存储的20倍。换言之,这项技术只会在数据中心或高端工作站普及开来。
  
  西数没有透露其低延迟闪存的所有细节,也无法说明它是否与去年推出的东芝XL-Flash低延迟3DNAND或其它特殊类型的闪存的关联有关。
  
  至于实际的LLF产品将于何时上市,该公司不愿表态。即便西数的LLF基于BiCS4的3DNAND存储技术打造,即日起开始生产的难度也不大。
  
  有趣的是,尽管西数的低延迟闪存将与英特尔傲腾和三星Z-NANDSSD展开竞争,但该公司并未将LLF称为“存储级内存”(SCM)。
  
  从长远来看,西数正在秘密开发基于ReRAM的存储级内存产品,并与惠普携手开发基于忆阻器的SCM硬件。
  
  当然,研发往往需要多年。在下一代技术投入使用前,业界还是会着力于更成熟的NAND闪存,来满足客户对于容量和性能的需求。
 
来源:cnBeta        
 
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